SRM2134硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中砷植入標(biāo)準(zhǔn)品NIST 旨在用于通過(guò)二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準(zhǔn)對(duì)硅基質(zhì)中微量和痕量砷的二次離子響應(yīng)。 SRM 2134 用于校準(zhǔn) SIMS 儀器在特定儀器條件下對(duì)硅基質(zhì)中砷的響應(yīng)。它也可以被實(shí)驗(yàn)室用作校準(zhǔn)硅中砷工作標(biāo)準(zhǔn)的轉(zhuǎn)移標(biāo)準(zhǔn)。 SRM 2134 的一個(gè)單元由一個(gè) 1 cm × 1 cm 的單晶硅襯底組成，該襯底已以 100 keV 的標(biāo)稱能量離子注入同位素 75As。 SRM 2134 經(jīng)認(rèn)證可用于 75As 原子的保留劑量。劑量以每單位面積的砷質(zhì)量單位表示。額外的SIMS 提供了有關(guān)砷原子濃度隨地表以下深度變化的未經(jīng)認(rèn)證的信息。

認(rèn)證濃度值： 

75As 原子的總保留劑量通過(guò)儀器中子活化分析確定。將兩種獨(dú)立制備的砷參考溶液（其中一種是 NIST SRM 3103a 砷標(biāo)準(zhǔn)溶液，經(jīng)砷濃度認(rèn)證）等分試樣沉積在濾紙上，作為分析中的標(biāo)準(zhǔn)。得到的認(rèn)證值和擴(kuò)展的不確定性為 75As 的認(rèn)證保留劑量：

0.09120 ± g/cm2 ± 0.00035 ± g/cm2

對(duì)于 75As 的同位素質(zhì)量使用 74.9216 g/mol 的值，保留劑量相當(dāng)于

7.330 × 1014 個(gè)原子/cm2 ± 0.028 × 1014 個(gè)原子/cm2

認(rèn)證值的不確定度表示為擴(kuò)展不確定度 U = kuc，其中 k 是 2.04 的覆蓋因子，置信水平約為 95%，uc 是根據(jù) ISO 指南 [1] 計(jì)算的組合標(biāo)準(zhǔn)不確定度.組合標(biāo)準(zhǔn)不確定度是從測(cè)量過(guò)程中導(dǎo)出或估計(jì)的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)不確定度平方和的平方根。 A 類和 B 類標(biāo)準(zhǔn)不確定度分量來(lái)自以下主要來(lái)源的測(cè)量不確定度：(1) 比較標(biāo)準(zhǔn)的濃度，(2) 樣品和標(biāo)準(zhǔn)之間的中子注量暴露差異，(3) 測(cè)量復(fù)制，(4) 標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)，(5) 脈沖堆積，以及 (6) 衰減時(shí)間效應(yīng)。已考慮所有已知的潛在不確定性來(lái)源

生產(chǎn)和物理描述： 

起始材料由一側(cè)拋光的商用 200 mm p 型硅 (100) 單晶晶片組成。硅晶片的拋光面在離子注入機(jī)中以 100 keV 的標(biāo)稱能量注入 75As 離子。在此期間，晶片名義上處于室溫植入。用晶圓鋸將晶圓切割成 1 cm x 1 cm 的正方形。所有方格都位于距晶片邊緣至少 1 厘米處。

處理、儲(chǔ)存和使用說(shuō)明

處理： SRM2134硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中砷植入標(biāo)準(zhǔn)品NIST  的植入面是拋光的反射面。該表面在包裝前已清潔。使用前，應(yīng)立即使用加壓空氣除塵器從表面清除灰塵顆粒。不建議在氫氟酸中蝕刻此 SRM，因?yàn)楸砻嫜趸锟赡軙?huì)去除一些砷。

儲(chǔ)存：不使用時(shí)，SRM 應(yīng)存放在其原始托盤中，并蓋緊蓋子。

用途：隨著連續(xù)層被離子轟擊去除，通過(guò) SIMS 監(jiān)測(cè)一種或多種濺射離子種類，可以獲得作為深度函數(shù)的材料成分信息。當(dāng)使用這種技術(shù)時(shí)，一個(gè)物種的濃度值通常使用與未知物相同的基質(zhì)中相同物種的參考樣品進(jìn)行校準(zhǔn) [5,6]。